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离职原因分析及对策-当代大学生“高分低能”现状的原因及对策分析

发布时间:2017-11-26 所属栏目:社会实践

一 : 当代大学生“高分低能”现状的原因及对策分析

摘 要 在今天的中国教育体制下,在培养综合素质全面发展的大学教育阶段,仍然存在相当大比例“高分低能”的大学生,他们拥有较为优秀的学习成绩,然而在生活、工作和交往过程中表现出较低的实践能力。本文结合访谈和问卷的调查情况,对大学生“高分低能”现状存在的原因进行深入探讨,并提出切实可行的建议。

关键词 科教兴国 高分低能 实践能力
“科教兴国”作为党中央、国务院按照邓小平理论和党的基本路线,为实现社会主义现代化建设三步走的宏伟目标而提出的发展战略,强调了科技和教育事业在国家发展中的重要作用和地位。一个国家未来的繁荣昌盛取决于教育的质量,然而,我国现今的教育体制与“科教兴国”的战略不相协调。在以培养综合素质全面发展的专门人才为目标的大学教育阶段,据调查结果显示,较大比例的大学生存在“高分低能”的问题,对此,我们就北京市以华北电力大学、北京农学院等四所高校各专业各年级学生为样本,采取问卷调查以及深入访谈方式对近800名学生就大学生“高分低能”现象进行调查,进行深入分析。
1 大学生“高分低能”的现状
(1)人际交往能力差。一方面,如今的学生,无论是否为独生子女,大部分都是在家人的宠爱之下长大,以自我为中心的思想造成其在单独与同学交往过程中产生一定的障碍与矛盾,影响其相互之间的交往。另一方面,在大学四年学习期间,部分原来就不擅长于人际交往的学生,由于缺少学生工作、兼职实习等经历,沟通交往等能力仍然较弱,导致在毕业之际难以转换角色适应社会,工作落实成为难题。
(2)与所学专业匹配的实践能力较差。大学教育目标在于培养专门的社会主义建设的人才,然而现在的学生流于形式性学习,停留于课本知识,难以将所学专业知识转变为实际的动手操作能力,主要体现为毕业生在专业对口的工作岗位上无法迅速进入工作状态,需要重新学习等。
(3)综合素质较差。第一,许多大学生心理素质较差,抗压能力弱,缺乏自信心,害怕困难和挫折,安于现状,不愿意积极尝试、创新和挑战。第二,在大学之前,诸多事情由父母决定和安排,进入大学后,独立性较差,凡事难以自己拿主意,摇摆不定。第三,组织、协调等能力较差,高考前学生致力于应试,考取高分,无意识也不注重对于组织协调等能力的培养,大学期间缺乏相关锻炼经历,许多学生在此方面能力相对较弱。
2 造成“高分低能”现状的原因
(1)大学生的学习状态倾向于形式性学习。我们的调查和访谈结果显示,被调查学生中超过60%的学生认为自己并没有认真聆听老师讲课,仅仅是按时上下课。许多学生在课上做的事情与学习并不相关,例如睡觉、看小说、发呆等等。另一部分同学即使上课听讲了,却并不能在课后及时地将知识消化吸收,老师每讲一次相当于重新学习一次。访谈中笔者了解到,多数学生们真正学习的时间是在考试前一至两周左右,目的是为了应付考试,获取高分以求在期末的综合测评中获取评定奖学金的资格。这种平时不注重掌握专业知识,为获取高分成绩,考试前临时突击背教学课件的学习方式即是典型的形式性学习。
(2)大学生自身缺乏培养、锻炼各种实践能力的认识。在本次调查中,我们对于大学生的课外生活进行了深入调查,结果显示,近56%的学生缺乏培养自身实践能力的意识。这些学生既不愿意参与学校、学院的社团工作及班级工作,也不愿意从事兼职、实习等工作,他们多数认为参加此类工作,对于自身帮助不大,也有一部分学生认为即使知道此类工作对自身各方面能力的提高有所帮助,但是没有动力(下转第117页)(上接第98页)去参与其中。大学阶段学生的时间较为空闲,学习较高中阶段轻松,相当大比例的学生由此松懈,男生沉迷于游戏,女生沉迷于电视剧、小说以及网购,浪费光阴,不能很好地利用这些时间积极参加学生、社团等工作,培养、锻炼自身的沟通、组织、协调等能力。最终结果导致毕业时期由于能力不足难以适应社会的需要,就业成为问题。
(3)大学教育中对于培养学生能力的社会实践环节重视程度不够。我们调查的二十三个专业结果显示,每个专业在不同的学期,分别都有社会实践的环节,学校开设这一环节的目的在于鼓励学生将专业知识与实践相结合,巩固知识,提高各方面实践能力。事实上,社会实践的初始目的并没有很好地实现。一方面,学校对社会实践教学环节的重视程度不够,安排方式不够正式,安排实践的时间较短,也没有将专业学习和社会实践紧密结合,因此达不到巩固知识和锻炼能力的作用;另一方面,学生自身也不重视社会实践,主要表现为学生不明白社会实践的意义,还有甚者认为社会实践完全没有必要,只会延迟放假时间;学生在社会实践期间,不能将专业知识同实践相结合,认真完成社会实践的内容,而倾向于敷衍了事。
(4)大学教师的教学方式有待于进一步改善。大学教师重科研轻教学的现象已并不罕见了,在我们的访谈中了解到,许多大学老师将大部分的精力投入科研项目中,在教学工作中的精力投入较少,他们倾向于单一的“填鸭式”授课模式,照搬照套教科书,教学僵化,忽视学生对于专业知识的掌握能力,在选择授课方式及授课进度时没有考虑到如何使学生最大程度地掌握专业知识。
3 克服“(www.61k.com)高分低能”现状的对策
(1)调整和完善大学教育的成绩评估体系,鼓励学生克服形式性学习模式。仅以考试成绩和课堂出勤率来计算课程成绩的方式会助长学生形式性学习的倾向,因此调整和完善成绩评估体系是必要的。学生的成绩评估应当适当加入课堂发言、课后思考反馈等因素,连同考试成绩和课堂出勤率加权计算课堂成绩,综合测评体系中适度加大课外学术研究、社会实践经历、学生工作、志愿服务等在测评中所占比重,适当减小课程成绩的比重,通过这种方式来强制学生克服形式性学习的方式,鼓励他们注重平时的课堂教学,积极参与课外学术研究、社会实践、学生工作和志愿服务等,全面提高和锻炼自身各方面能力。
(2)学校应当重视社会实践教学环节。首先,学校应当联合各个学院,在社会实践教育环节开始前,以正式方式召集所有学生召开动员会议,在会上强调本次实践的重要性,详细说明实践的教学目标、实践各个环节应注意的相关事项等,通过学校重视教学实践从而带动学生重视。其次,学校在安排社会实践时,应注意结合实践的目标适当安排时间的长短,例如行政管理专业的社区实习,一个月及其以上时间较为合适,如此才有足够时间让学生结合所学知识完全了解社区运作的模式。再次,学校在安排实习时应尽量将相关课程的学习与社会实践紧密结合,一边学习一边实践或者学习完后及时实践的方式将会更利于巩固知识,提高社会实践的能力。

二 : 浅析在新形势下员工思想波动的原因分析及对策研究

摘 要:新形势下,员工思想受到多种因素的影响而产生波动,为了做好工会的思想工作,应该了解员工思想波动的的相关表现,产生的后果以及原因,对症下药,避免员工思想波动,优化思想工作内容,促进公会工作正常进行。

关键词:新形势;员工思想;对策
1、前言
随着经济改革的持续进行,当前分配不均匀、贫富差距变大的现象日益突出。企业承担着经济发展与社会责任的双重压力,受到各种因素的影响,企业员工的思想波动较大,尤其是基层员工的积极性低落,影响了企业的正常运行与发展。为了保障企业工作正常运行,工会应该做好员工思想调查,了解员工思想波动的表现以及原因,采取针对性对策保障思想工作的正常运行[1]。
2、员工思想波动的表现
2.1 工作积极性低落
随着社会经济的发展,当前的社会经济水平全面提升,生产消费水平也不断提升,但是因为消费问题影响了员工的生活。有其对于基层员工而言,相应的消费水平与价格上涨,工资却没有相应的增长,导致工作积极性受到影响。长期的物价上涨以及房价上涨与工资之间的矛盾,造成企业员工工作积极性低落,在工作中无法发挥全力。
2.2 对于用工制度不满
当前的企业改革持续进行,用工制度也发生了变化,比如在工作中有合同制事业编制员工、编外员工、非全日制合同用工等员工编制,不同编制的职工所享受的工资待遇与福利有所不同,最终导致收入分配不一致,从而引发了员工的思想波动。同时因为用工制度的差别,导致相关的身份歧视、归属感缺乏等问题,造成严重的思想波动[2]。
2.3 面对市场竞争表现出“麻痹感”
随着全球经济化发展,当前的企业面临国际的竞争。当前国内企业的核心技术告别垄断,核心竞争力逐渐下降,其中炼油企业也需要面对国内外的竞争,市场环境逐渐激烈。虽然炼油企业已经经过了长期的发展,形成了一定的人才资源与竞争力,但是与市场环境越来越激烈的形式相对应的是,当前企业的员工却没有表现出足够的警觉性,当前员工安于企业发展的现状,对于市场竞争表传出麻痹感,对市场缺乏敏锐度,不利于企业的发展与壮大。
3、员工思想波动的严重后果
员工的思想波动并不仅仅是单个或是少数人的思想波动,当前企业的员工表现出工作积极性低落、对用工制度不满以及对于市场竞争的麻痹感,这些思想波动不适应于企业的发展,随着企业的发展与市场竞争不断加剧,这些思想波动会严重影响企业文化与企业的竞争力。不良的思想就像病毒,会对其他的员工造成影响,从而影响企业的氛围,影响企业的生产与发展。为了避免员工的思想波动对企业的发展造成影响,需要对思想波动的成因进行分析,从而对症施药,做好思想工作,促进企业的发展。
4、员工思想波动的成因
4.1 基层员工缺乏企业文化知识
企业的基层员工处于企业的一线,是企业生产的主力军,也是企业形象的门窗,但是在企业发展过程中,因为基层员工流动性大,思想积极性不足,所以对企业文化认识不足。当前企业的基层员工对于企业文化只有一个大致的轮廓,缺乏深层的理解,这与企业的思想宣传与思想工作不足有关。
4.2 企业对于思想政治工作相对较弱
随着企业的发展,当前企业主要是以生产为主,相对的思想政治工作不足,思想政治工作人员难以尽心尽力,而且企业的思想政治工作体系不完善,执行不到位,这些都是造成企业员工思想波动的原因。
5、员工思想波动疏导手段
思想政治工作是一项相对复杂的工作,相应的工作需要适应社会经济发展状况与企业的发展状况。对于当前企业员工思想波动的先创,思想政治工作人员应该加强企业的思想政治工作,减小思想波动的影响,保障企业的正常运行与发展。
5.1 以人为本
思想政治工作需要以人为本,将人本主义观念加到思想政治工作中,注重人文关怀与心理疏导,把职工的需求放在第一位,促进企业思想政治工作的顺利进行。首先要针对企业的思想状态做好旋床,大力宣传企业的方针与文化,使员工对企业的发展有清晰的认识,对企业产生认同感。其次要做好员工的减负工作,尽可能的为员工多谋福利,调整员工参加工作的积极性;同时需要开展相应的竞赛活动,提升员工的创新热情与工作激情[3]。
5.2加强培训,提高基层政工人员素质
疏导员工思想波动的主力军是企业的基层政工人员,为了做好员工思想波动疏导工作,需要加强基层人员的选拔与培训,从而加强思想工作的进行。首先要加强责任意识,在充分了解企业的思想政治工作的基础上,及时传达企业的政策要求;其次要确定思想政治工作规范与要求,使基层政工人员能够及时掌握员工的思想动态,做好排解与疏导。将思想政治工作作为基层人员的考核标准,促进企业思想政治工作的正常进行。
6、结语
炼油企业在我国经济发展过程中具有十分重要的地位,新形势下,随着社会经济的发展,企业面临着新的发展形势与发展环境,企业的员工也受到外部的影响,思想波动较大。员工的思想波动主要表现是工作积极性不足、缺乏竞争性、思想懈怠,为了疏导员工思想,需要以人为本,将员工作为思想政治工作的第一位,并且构建起适应企业发展的思想政治工作规范,促进思想政治工作进行。
参考文献:
[1] 桂芳; 加强思想政治工作, 构建和谐企业[J] ; 科教导刊( 中旬刊);2012
[2] 黄影阳;浅谈如何加强改制企业的思想政治工作[J];经营管理者;2013
[3] 张欣欣; 浅谈企业思想政治工作如何创新[J] ;东方企业文化;2012
[4] 希君; 进一步加强改制企业思想政治工作[J] ;山东社会(www.61k.com)科学;2011

三 : 腰椎穿刺术失败原因及对策分析

[中图分类号]R472

[文献标识码]B
[文章编号]1672-4208(2010)11-0077-02

腰椎穿刺术(腰穿术)主要用于诊断脑膜炎、脑炎、脑血管病变和脑瘤等神经系统疾病,以及治疗性鞘内注射药物。是临床上常用的操作技术,但在实际工作中却时常操作失败。笔者回顾分析2000年11月-2009年11月腰穿术失败132例,归纳失败原因并提出了相应的对策,现报道如下。

1、资料与方法

1.1 临床资料 患者132例,男91例,女41例;年龄16-84岁,平均56.4岁。临床诊断脑出血46例,蛛网膜下腔出血12例,脑炎34例,脑膜炎12例,炎症性脱髓鞘性多发神经病4例,急性脊髓炎3例,其他21例。
1.2 方法 患者取左侧卧位,曲颈抱膝,尽量使脊柱前屈,利于拉开棘突间隙。背部与检查床垂直,脊柱与床面平行。双侧髂前上棘最高点连线与脊柱中线相交处为第4腰椎棘突,选择其下即4-5腰椎间隙为穿刺点,常规消毒铺无菌手术巾,用2%利多卡因在穿刺点做局部浸润麻醉。操作者左手固定穿刺部位皮肤,右手持针,针头斜面向上刺入皮下后,针头略向头端偏斜缓慢进针。穿刺针经过棘间韧带时有一定阻力,当阻力突然减低时提示进入蛛网膜下腔,拔出针芯即可见脑脊液流出为腰穿成功。

2、结 果

腰穿术失败132例,其中69例经调整进针方向或进针深度后腰穿成功,26例回抽出脑脊液,37例经调整无效改穿另一椎间隙后腰穿成功。

3、讨 论

分析以上结果得出腰穿术失败的主要原因是进针方向偏斜,其次是椎间隙的差异以及脑脊液压力低。针对这3种常见原因,在进行腰穿时要注意以下几点。
3.1 穿刺技术方面
3.1.1 操作者知识水平差 操作者进针方向偏斜,穿刺针触及椎骨操作者经验不足,对解剖结构不够清晰,均会导致进针盲目,方向偏斜,刺入椎体骨质内造成阻力。穿刺前应认真复习相关知识,熟悉穿刺针通过的解剖部位,消除恐惧心理,树立信心。
3.1.2 穿刺部位不明确 确定穿刺点:以髂后上棘连线与后正中线的交会处为穿刺点,一般取第4-5腰椎棘突间隙为穿刺点,也可在第3-4腰椎棘突间隙穿刺。小儿的脊髓终止于第3腰椎平面,穿刺点应选第4-5腰椎棘突间隙以下。选定穿刺点后作标记。如遇穿刺损伤血管,要在上一个或下一个椎间隙重新穿刺,切勿在第1-2腰椎间隙以上穿刺,以免损伤脊髓。
3.1.3 穿刺进针深度过深或过浅 术者以左手固定皮肤,右手持腰穿针,将穿刺针斜面向头端与穿刺平面垂直缓慢进针。成人进针深度约为4-6 cm,儿童则为2-4 cm,过度肥胖者应增加进针深度。穿刺针至皮下后,应与脊柱的矢状线保持一致,当穿刺针通过棘间韧带和硬脊膜时可感到阻力骤减和落空感。缓慢拔出针芯,观察有无脑脊液流出,如有脑脊液顺利流出,说明穿刺成功,如无脑脊液流出,可轻轻转动穿刺针或稍向前再推进(应将针芯插入后再操作)。如穿刺中触及椎骨或前述操作后仍无脑脊液流出,应将穿刺针退至皮下,并使针尖稍向头端倾斜,再重复上述操作。
3.2 脑脊液方面 遇到解剖层次清晰或能够较肯定地认为穿刺针针尖已进入蛛网膜下腔,然而针尾并无脑脊液流出或抽不出脑脊液。其原因为:(1)穿刺时穿刺针半进半出或贴于蛛网膜下腔的管壁或针尖紧贴神经根或马尾,都不易获得脑脊液。(2)脑脊液主要来源于脉络丛,也来自血管间隙,由血浆渗漏而来,术前患者禁饮食导致有效循环血量降低,静脉充盈程度减少,脑脊液的压力也可能下降,腰穿时就不易流出脑脊液。(3)腰椎管狭窄导致椎管容积减少及脑脊液循环和血供障碍,腰椎管狭窄段及狭窄远端的脑脊液容量减少,并与狭窄程度成正相关,提示该类患者腰穿时在椎管狭窄段很难获得较通畅的脑脊液,通过嘱患者屏气,压迫其颈静脉,采用头高脚低位,改变穿刺针方向,多能获得脑脊液。
3.3 患者方面
3.3.1 患者体位不当 患者背部平面与床面不垂直,棘间隙暴露不充分,或穿刺针斜面方向错位,这是穿刺失败最常见的原因。要让患者侧卧于硬板床上,背部与床面垂直,头向前胸部屈曲,双手抱膝,尽量使双下肢屈到腹部,或由助手在术者对面,一手抱住患者头部,另一手挽住双下肢腋窝并用力抱紧,使脊柱尽量后凸,以增宽椎间隙便于进针。
3.3.2  患者系先天性棘间隙狭窄或脊椎畸形如果患者是先天(www.61k.com]性棘间隙狭窄或脊椎畸形,不管如何摆体位都会造成进针困难,可以预先通过拍腰椎片或磁共振了解。
3.3.3 患者过于紧张 应对患者进行心理干预。
3.3.3.1 术前心理干预 对患者解释腰穿术的目的、过程、术中特殊体位和可能出现的不适,通过交谈了解患者忧虑和担心的问题,进而实施耐心细致的心理疏导,消除患者恐惧、紧张的心理,取得其信任,使患者有充分的心理准备。
3.3.3.2 术中心理干预 指导患者保持低头、弓腰、抱膝的姿势。穿刺过程中避免移动,若要咳嗽时,先通知医生,暂停操作,避免损伤组织和移动穿刺位置,若有不适感,随时向医生报告。密切观察患者面色、神志、生命体征的变化并做好一切抢救的准备。
3.3.3.3 术后心理干预 安慰体贴患者,赞扬患者的配合,叮嘱患者去枕平卧4-6 h,暂禁食,以避免脑脊液从蛛网膜下腔针眼处漏出,造成脑脊液压力降低,引起头痛头晕,恶心呕吐不适。如有不适及时通知医生。
另外老年患者棘间韧带钙化,或其他原因引起的韧带增生肥厚,使穿刺失败。过度肥胖者,进针深度应适当增加。

四 : XPS原理及分析

X射线光电子能谱分析

一、概述
? X射线光电子谱是重要的表面分析技术之一。它 不仅能探测表面的化学组成,而且可以确定各元 素的化学状态,因此,在化学、材料科学及表面 科学中得以广泛地应用。 ? X射线光电子能谱是瑞典Uppsala大学K.Siegbahn 及其同事经过近20年的潜心研究而建立的一种分 析方法。他们发现了内层电子结合能的位移现象, 解决了电子能量分析等技术问题,测定了元素周 期表中各元素轨道结合能,并成功地应用于许多 实际的化学体系,K.Siegbahn因此获1981诺贝尔 奖。

二、X射线光电子能谱分析的基本原理
电子能谱分析是一种研究物质表层元素组成与离子 状态的表面分析技术,其基本原理是用单色射线照射 样品,使样品中原子或分子的电子受激发射,然后测 量这些电子的能量分布。通过与已知元素的原子或离 子的不同壳层的电子的能量相比较,就可确定未知样 品表层中原子或离子的组成和状态。

1、光电效应
当一束能量为hν的单色光与原子发生相互作用 ,而入射光量子的能量大于原子某一能级电子的结合 能时,发生电离: M + hν= M*+ + e光电效应过程同时满足能量守恒和动量守恒, 入射光子和光电子的动量之间的差额是由原子的反冲 来补偿的。 光电效应的几率随着电子同原子核结合的加紧 而很快的增加,所以只要光子的能量足够大,被激发 的总是内层电子。外层电子的光电效应几率就会很小 ,特别是价带,对于入射光来说几乎是“透明”的。

? 光电子发射示意图

光电子动能: Ek= hμ- Eb-Φsp ( Φsp是功函数)

? 光电效应截面s衡量原子中各能级发射光电子的几率
s为某能级的电子对入射光子有效能量转换面积,也可表示 为一定能量的光子与原子作用时从某个能级激发出一个电子 的几率。 s与电子所在壳层的平均半径r、入射光子频率n和原子序数Z 等因素有关。在入射光子能量一定的条件下,同一原子中半 径越小的壳层s越大;电子结合能与入射光子能量越接近s越 大。对不同原子同一壳层的电子,原子序数越大,光电效应 截面s越大。

光电效应截面s与原子序数Z的关系 Z
元素

3 Li 1.1

4 Be 4.2

5 B 11

6 C 22

7 N 40

8 O 64

9

11

12

s

F Na Mg 100 195 266

2、原子能级的划分 ? 量子数表示电子运动状态
– 主量子数n : 电子能量主要(并非完全)取决于n; n??电子能量?
? n =1, 2, 3, …;通常以K(n=1), L(n=2),M(n=3)…表示 ? 相同的n表示相同的电子壳层

– 角量子数l :决定电子云的几何形状;不同的l将电 子壳层分成几个亚层,即能级。
? L与n有关,给定n后, l=0, 1, 2,…,( n -1);通常以 s(l=0), p(l=1), d(l=2), f(l=3), …表

示 ? 在给定壳层的能级上, l ??电子能量略?

– 磁量子数ml :决定电子云在空间的伸展方 向(取向);
? 给定l 后, ml 取+l 和-l 之间的任何整数, ml =l, l-1, …, 0, -1, …, - l ; ? 若l =0,则ml =0;若l =1,则ml =1,0,-1。

– 自旋量子数ms :表示电子绕其自身轴的旋 转取向;与上述3个量子数无关。

– 电子的轨道运动和自旋运动间存在电磁相互作用, 即:自旋-轨道耦合作用的结果使其能级发生分 裂,对l >0的内壳层来说,这种分裂可用内量子 数j表示(j =| l+ ms |= | l ± 1/2 |)
? 若l =0,则j = 1/2 ;

? 若l =1,则j = l ± 1/2 = 3/2或1/2 ;
? 除s亚壳层不发生自旋分裂外,凡l >0的各亚壳 层都将分裂成两个能级?XPS出现双峰?

自旋——轨道劈裂

自旋-轨道劈裂
l=1 l=3

l=0

l=2

3、电子结合能
一个自由原子或离子的结合能,等于将此电子从所在的能 级转移到无限远处所需的能量。

4、XPS信息深度

5、化学位移
同种原子由于处于不同的化学环境,引起内壳层电子结合 能的变化,在谱图上表现为谱线的位移,这种现象称为化学 位移。 所谓某原子所处化学环境不同,一是指与它结合的元素种 类和数量不同,二是指原子具有不同的价态。 原子内壳层电子的结合能随原子氧化态的增高而增大;氧 化态愈高,化学位移也愈大。

三、XPS装置

? 组成:
– x射线源 – 样品台 – 电子能量分析器 – 电子探测和倍增器 – 数据处理与控制 – 真空系统

核心部件:激发源; 能量分析器;和电子 探测器

仪器说明
仪器名称:X射线光电子能谱仪 产品型号:Kratos AXIS Ultra DLD 生产厂家:日本岛津-KRATOS公司

1. x射线源: ? 要求: – 能量足够激发芯电子层; – 强度产生足够的光电子通量; – 线宽(决定XPS峰的半高宽FWHM)尽量窄; ? Mg、Al源 – Mg Ka;Al Ka – Mg/Al双阳极x射线源

2. 电子能量分析器:核心部 件
?


2种结构:
筒镜分析器CMA:点传输率很 高,有很高信噪比。XPS为提高 分辨率,将2个同轴筒镜串联



同心半球分析器CHA:两半球 间的电势差产生1/r2的电场,只 有选定能量的电子才能到达出口。

?

前面放置一透镜或栅极→电 子减速→电子动能可选定在 一预设值(通道能量)?提 高灵敏度

半球形电子能量分析器
E b ? eV / c c?( r2 r1 ? r1 r2 )

?改变ΔV便可选择不同的EK,

如果在球形电容器上加一个扫 描电压,会对不同能量的电子 具有不同的偏转作用,从而把 能量不同的电子分离开来。

四、xps谱图
典型谱图 横坐标:电子束缚能(能直接反映电子壳层/能级结构) 或动能;eV 纵坐标:cps(Counts per second),相对光电子

流 强度 谱峰直接代表原子轨道的结合能

? 典型谱图
Fe的清洁表面

扫描1次

? 典型谱图
– 本征信号不强的XPS谱图 中,往往有明显“噪音” ? 不完全是仪器导致 ? 可能是信噪比太低,即 待测元素含量太少
扫描3次

– 增加扫描次数、延长 扫描时间?噪音?
? 注意:谱图对比时测量 参数必须一致。
涂膜玻璃的Si2p谱

1、xps光电子线及伴线
A、光电子线 最强的光电子线常常是谱图中强度最大、峰宽最小、对称性 最好的谱峰,称为xps的主线。每一种元素都有自己最强的、具 有表征作用的光电子线,它是元素定性分析的主要依据。

Ti及TiO2中2p3/2峰的峰位及2p1/2和2p3/2之间的距离

B、俄歇线
– 原子中的一个内层电子光致 电离射出后,内层留下一空 穴,原子处于激发态。激发 态离子要向低能转化而发生 驰豫;驰豫通过辐射跃迁释 放能量。
? 辐射出的的射线波长在x射线区 ? x射线荧光
? 跃迁使另一电子激发成自由电 子?俄歇电子
– 多以谱线群方式出现

? 俄歇线
– OKLL、CKLL

– KLL:左边代表起始空穴的电子层,中间代表填补 起始空穴的电子所属的电子层,右边代表发射俄歇 电子的电子层

C、XPS卫星线

– 用来照射样品的单色x 射线并非单色,常规 Al/Mg Ka1,2射线里混杂 Ka3,4,5,6和Kb射线,它们 分别是阳极材料原子 中的L2和L3能级上的6 个状态不同的电子和 M能级的电子跃迁到K 层上产生的荧光x射线 效应。这些射线统称 XPS卫星线。

Mg Ka射线的卫星峰

? x射线卫星线 Al Ka 、Mg Ka卫星峰离主光电子峰的位移和相对强度

射线名称
Mg靶
高动能端位 移

Ka1,2
0eV

Ka3
8.4eV

Ka4

Ka5

Ka6

Kb

10.2eV 17.5eV 20.0eV 48.5eV

相对强度 高动能端位 移
相对强度

100 0eV
100

9.2 9.8eV
7.8

5.1

0.8

0.5

2.0

11.8eV 20.1eV 23.4eV 69.7eV
3.3 0.42 0.28 2.0

Al靶

D、能量损失线
– 光电子能量损失谱线是由于光电子在穿过样品表面时发生 非弹性碰撞,能量损失后在谱图上出现的伴峰
– 特征能量损失的大小与样品有关;能量损失峰的强度取决 于:样品特性、穿过样品的电子动能

? 能量损失线

二氧化硅中O1s的能量损失峰

Al的2s的能量损失峰 a:清洁表面;b:氧化表面

E、电子的振激(Shake up)线和振离线(Shake off)
– 在光电发射中,由于内壳层形成空位,原子中心电位发生突 变引起价壳层电子的跃迁,出现两个结果:
? 若价壳层电子跃迁到更高能级的束缚态称为电子的振激 ? 若价壳层电子跃迁到非束缚的连续状态成了自由电子,则称为电子的 振离。

振 激 过 程

? 电子的振激(Shake up)线 和振离线(Shake off) – Cu、 CuO和Cu2O的 结合能差距不大,鉴 别困难。 – Cu和Cu2O没

有2p3/2 谱线的振激峰;而 CuO则有。

F、鬼线 – XPS中出现的难以解释的光电子线

? 来源:
–阳极材料不纯,有部分x射线来自杂质微量 元素;

–窗口出来-铝箔

XPS:定性分析方法
? 首先标识那些总是出现的谱线,e.g. C1s, CKLL, O1s, OKLL, O2s, x射线卫星峰和能量损失线;
? 根据结合能数值标识谱图中最强的、代表样品中主体 元素的强光电子线,并且与元素内层电子结合能的标 准值仔细核对,并找出与此匹配的其他弱光电子线和 俄歇线群; ? 最后标出余下较弱的谱线,标识方法同上,标识它们 应想到可能来自微量元素或杂质元素的信号,也可能 来自强的Kb x射线等卫星峰的干扰; ? 对那些反复核对但没有归属的谱线,可能是鬼线;

2、XPS定量分析方法
? 将谱线强度信号→元素含量,即将峰的面积→相应元素的浓度。 ? 直接用光电子的强度进行定量分析,误差大,∵不同壳层的光电子截面不 同,光电离的几率不同。

? 元素灵敏度因子法——半经验
– 对单相、均一、无限厚的固体表面,从光电发射物理过程,可导出谱 线强度公式: ? fo:x射线强度(光子数/cm2· s) ? r :被测元素原子密度(原子数/cm3) ? Q:待测谱线对应的轨道光电离截面(cm2) ? A0:被测试样有效面积(cm2)

I ? f 0 ? A 0 Q ? e ? yD

? le :试样的电子逃逸深度(cm)
? F:考虑入射和出射电子间夹角变化影响的校正因子 ? y:形成特定能量光电过程效率 ? D:能量分析器对发射电子的检测效率

? ∴

? ? I /( f 0 A 0 Q ? e ? yD ) ? I / S
S ? f 0 A 0 Q ? e ? yD
?1
? ( I1 / S1 ) (I2 / S2 )

? S——元素灵敏度因子 – 对2个元素有:

?2

? Q、le 、y、D等对不同试样有相同的变化规律,即S1/S2不变; ? S值与材料基体性质无关,一般以氟F1s轨道光电子谱线的灵敏度因 子为1。

? ∴某元素所占原子分数为:C x

?

?x

(? ? i )

?

(I x / S x )

(? I i / S i )

? 元素灵敏度因子法因受多因素影响,不可能很准确

? 谱线强度的确定 – 几何作图法:
峰面积=峰高 ? 半峰宽

– 称重法:沿谱线 ACEDBFA剪下,称重 (纸均匀) – 机械积分法: – 电子计算机拟合

XPS:定量分析方法-4
? 深度剖析

– 倾转样品法:z深度处发 射的电子要经z/cosq的路 程才能离开表面,逃逸几 率随exp(-z/lm)而减少,∴ 改变倾斜角度可进行深度 剖析

? 深度剖析 – 惰性气体离子束刻蚀法: ? 同AES、SIMS
1:Co 2: Al 3: C 4: O

Co-Ni-Al多层磁带材料

耗时36h

XPS:应用
? 表面全元素分析 (全谱):
– 存在:Ti, O, Si, C; – Si的来源,可能:
? 涂层太薄(<10nm) ? 热处理使基体扩散 →涂层变薄

二氧化钛涂层玻璃 (溶胶-凝胶)

– C的来源,可能:
? 溶胶 ? 谱仪油污染碳

? 表面窄区谱分析:
– 分谱分析或高分辨谱分析 – 特点: ? 扫描时间长 ? 通过能小 ? 扫描步长小 ? 扫描期间几十电子伏特内 ? 以强光电子线为主
– 得到的是谱线的精细结构:

? 离子价态分析:
– 铜红玻璃与CuO不相似; – 铜红玻璃与CuCl相似

–→铜红玻璃为+1价
铜红玻璃、化学试剂CuO和CuCl

? 元素不同离子价态比例:
– 每一拟合曲线代表一钛离子的不同价态; – 每一拟合曲线峰面积代表一钛离子的强度;

玻璃表面二氧化钛涂层Ti 2p

钛离子 价态 +4 +3

峰位/eV 458.45 457.7

相对原子含量 % 67.79 32.21

XPS:应用
? 元素不同离子价态比列:
O离子峰位/eV 相对原子含量% 对应的结合状态 529.40 65.74 TiO2 530.70 20.37 Ti2O3 531.90 10.65 OH 532.80 3.24 碳酸根

玻璃表面二氧化钛涂层O1s

? 材料表面不同元素之间的定量:

功能陶瓷

? 材料表面不同元素之间的定量:
功能陶瓷

元素

谱线

结合能/eV

峰面积

灵敏度 相对原子 因子 含量%

Ti Pb
La

Ti 2p3/2 Pb 4f7/2
La 3d5/2

458.05 138.10
843.20

469591 1577010
592322

1.10 2.55
6.7

37.65 54.55
7.80


五 : XPS原理及分析

XPS XPS原理及分析

XPS XPS原理及分析

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扩展:水冷机原理 / xps教程 / x射线

XPS XPS原理及分析

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本文标题:离职原因分析及对策-当代大学生“高分低能”现状的原因及对策分析
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